品牌：LRC乐山无线电

类型：P沟道增强型MOSFET

型号：LP2301LT1G

订购热线：18145855552

LRC LP2301LT1G是一款专为高密度电池设计优化的20V P沟道增强型MOSFET，具有较低的导通电阻和适宜的耐压与电流规格，适合多种电子应用场景。

基本信息

品牌: LRC

封装/规格: SOT-23

参数特性

功率(Pd): 900mW

阈值电压(Vgs(th)@Id): 900mV

导通电阻(RDS(on)@Vgs): 不同电压下的导通电阻值

P沟道耐压: 最高20V

最大电流: 最高2.8A

包装方式： 编带

1圆盘： 3000个

技术特点

先进的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

场效应管LP2301LT1G.pdf