（1）为了便于发射结发射电子，发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度，且发射结的面积较小。

（2）发射区和集电区虽为一致性质的掺杂半导体，但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度，且集电结的面积要比发射结的面积大，便于搜集电子。

（3）联系发射结和集电结两个PN结的基区十分薄，且掺杂溶度也很低。

avx钽电容好像两个反向串联的PN结，假如孤登时看待这两个反向串联的PN结，或将两个一般二极管串联起来组成avx钽电容，是不可能具有电流的扩大效果。具有电放逐大效果的avx钽电容，PN结内部结构的特殊性是。

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