近日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称“英诺苏州”）在香港交易所发布公告，正式对英飞凌科技（中国）有限公司（被告一）、英飞凌科技（无锡）有限公司（被告二）以及苏州芯沃科电子科技有限公司（被告三）提起诉讼。此次诉讼涉及的专利包括202311774650.7号和202211387983.X号，相关的起诉状分别为《(2024)苏05民初1430号》和《(2024)苏05民初1431号》，已提交至江苏省苏州市中级人民法院。

英诺苏州作为上述专利的权利人，已获得相关专利的许可，涉及的专利技术主要包括一种氮化镓（GaN）功率器件及其制备方法，以及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。这些技术在半导体行业中具有重要的应用价值，尤其是在高效能和高频率的电子设备中。

根据起诉状的内容，被告二英飞凌科技（无锡）有限公司是被告一的全资控股子公司，并且是英飞凌中文网站的备案主体。该网站向中国市场的潜在客户展示、宣传并承诺销售多种型号的氮化镓（GaN）半导体器件。被告一则作为涉案侵权产品的进口商和总经销商，负责将这些产品引入中国市场。根据英飞凌中文网站的信息，被告三苏州芯沃科电子科技有限公司则是被告一和被告二在中国市场的增值分销商。

经过技术比对，原告英诺苏州认为，涉案的侵权产品已落入其专利的保护范围。三被告在未获得原告许可的情况下，实施了承诺销售、销售及进口这些侵权产品的行为，构成了对相关专利的侵害。根据相关法律规定，原告要求三被告承担相应的法律责任，包括立即停止侵权行为，并对因此造成的损失进行赔偿。

此次诉讼不仅涉及专利权的保护，也反映了半导体行业内竞争的激烈程度。英诺赛科希望通过法律手段维护自身的合法权益，同时也为行业内的知识产权保护树立一个标杆。