钽电容的常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。钽电容的测验，高压陶瓷电容在模拟作业环境状态下运作30~60天，测验其衰减其各项参数的改变；耐压实验，包含额外作业电压24小时作业测验；也包含击穿耐压，即破坏性测验，电容被击穿前的那一个临界电压就是击穿电压。局放测验，即部分放电测验；寿数测验，即在老化测验的基础上，再对电容进行高频冲电流下快速充放电测验，得到的充放电次数就是充放电寿数，留心，这个寿数的得出是在长时间的老化之后得出的。avx钽电容的电参数随电场频率而改变的性质。在高频前提下作业的电容器，因为介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。在电场的效果下，电容器在单位时间内发烧而消耗的能量。这些损耗首要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。

钽电容的运用越来越多的电子设备以便处理空间受限标题，并消除互连电缆形成的重量。运器具有较少线缆并且在任何功课前提下都可靠的通讯总线是一种明晰明晰的方案。图给出了TRJ电容在总线驱动器中的运用状况，由于可以极好地支撑发送放大器，TRJ电容能加快数字响应速度。

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