台积电InFO产品结构如下：

其工艺流程如下：

1、在晶圆Pad上制作一层预制铜柱；

2、将切割好的芯片Pad面向上粘贴在带临时键合胶的载片上；

3、对载片进行灌胶塑封；

4、对塑封好的扇出晶圆进行研磨，露出预制铜柱的顶部；

5、在预制铜柱的顶部进一步制作RDL及植球移除载片；

6、将完成植球的扇出式晶圆切割成单个成品。

该技术由于布线工艺在载片上完成，没有翘曲等因素的影响，因而能够实现高密度布线，同时整体封装厚度也能控制的很低，多应用在高端手机处理器等高价值芯片上。缺点是工艺控制要求高，而且RDL良率直接会影响到芯片成品率，因此最终成品价格较高。

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