英诺赛科（InnoScience）新推出的30V VGaN产品——INV030FQ012A，标志着其电压范围的进一步拓展。该产品采用了FCQFN 4mm*6mm的小型封装设计，体积小巧，能够有效地替代传统方案中需要两颗共漏连接的背靠背NMOS。这一创新设计不仅降低了电路板的占用面积，还为系统的小型化提供了强有力的支持。

INV030FQ012A主要应用于过流保护、负载开关等多个场景，其超低导通电阻和宽广的安全工作区（SOA）等特性，使得在实际应用中，低损耗和耐短路冲击的优势愈加明显。该产品的设计理念旨在满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。

产品特性

1.双向导通能力：支持双向电流流动，适应多种应用需求。

2.先进的超低导通电阻低压技术：通过优化设计，显著降低导通电阻，提高能效。

3.超小封装体积：小巧的封装设计使得在空间有限的应用中更具优势。

4.零反向恢复充电电量：在关断时几乎没有反向恢复电流，进一步降低了能量损耗。

产品优势

与传统MOSFET相比，INV030FQ012A展现出以下显著优势：

1.占板面积缩小：采用FCQFN 4x6mm封装，单颗GaN器件能够替代两颗MOSFET，较传统MOSFET的占板面积减少了50%。

2.超低导通电阻：最大导通电阻Ron仅为1.2m伲洗矼OSFET减少了50%，显著提升了能效。

3.更宽的安全工作区（SOA）：具备更高的鲁棒性，能够承受短路冲击，确保系统的稳定性和安全性。

此外，INV030FQ012A的封装设计与之前推出的40V VGaN INN040FQ012A实现了引脚对引脚（Pin to Pin）的兼容，客户可以轻松进行替换，提供了更多的电压选择，灵活调整系统的物料清单（BOM）。

应用领域

高边负载开关：适用于需要高效能和小型化的负载开关设计。

过压保护：在电源管理中提供可靠的过压保护解决方案。

电池保护：确保电池在充放电过程中的安全性，延长电池寿命。