在电子设备全生命周期中，电阻器的阻值稳定性直接影响系统精度。阻值漂移的本质是材料体系在多重应力下的动态演化，主要源于材料退化、环境侵蚀与电应力耦合作用。

材料微观结构演变是阻值变化的核心机制。金属薄膜电阻中，镍铬合金的晶粒在150℃下每小时增长0.02nm，晶界减少导致电子散射减弱，但晶粒粗化使导电截面积缩减。实验显示2000小时工作后，50nm薄膜阻值上升0.8%。厚膜电阻的玻璃相在电场中发生离子迁移，导电通道拓扑重构导致阻值波动±0.5%。

环境侵蚀加速性能衰退。水汽渗透环氧树脂封装后，在电阻膜表面形成羟基吸附层，湿热环境（85℃/85%RH）可使金属氧化物电阻阻值偏移+1.2%/1000h。含硫气体会与银端极反应生成Ag₂S，接触电阻在含0.1ppm H₂S环境中2000小时增加15mΩ。温度循环引发的热机械应力使焊点产生微裂纹，导致局部电流密度倍增。

电应力诱导不可逆损伤。当电流密度超过10⁴A/cm²时，电子风效应推动金属原子定向迁移，50μm电阻条每千小时宽度缩减0.3%。高压电场使厚膜电阻内钌酸铅导电相形成枝晶结构，导致阻值每年下降0.5%。脉冲负载造成局部瞬时温升超过2000K，使氧化锌压敏电阻晶界气化形成微孔洞。

现代电阻器通过材料改性提升稳定性，如掺杂钛元素的镍铬合金使晶粒生长速率降低80%，原子层沉积5nm氧化铝阻隔层可将水汽渗透率抑制至10⁻⁶g/day。这些技术创新使军用级电阻10年漂移率控制在±50ppm内，为高可靠电子系统奠定了基础。